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SPI 전자 잉크의 회로 설계 및 MOS 튜브 선택

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SPI 전자 잉크의 회로 설계 및 MOS 튜브 선택

  • 분류 :기술적지원
  • 작성자 :
  • 출처 :
  • 등록시간 :2022-10-25
  • 방문수 :0

【개요 설명】

SPI 전자 잉크의 회로 설계 및 MOS 튜브 선택

【개요 설명】

  • 분류 :기술적지원
  • 작성자 :
  • 출처 :
  • 등록시간 :2022-10-25
  • 방문수 :0
상세정보

SPI 전자 잉크의 회로 설계 및 MOS 튜브 선택


SI1304BDL


Spec: 487ed739fd7bf4abe2bed04936ead327.pdf


임계값 전압 Vgs(th): 1.3V
구성: 단일
FET 유형: N 도랑
포장: 테이프/두루마리
전원 코드 저항 RDS(on): 36m
전력 손실: 2.8W
전원 전압: ±12V
누전극 뚫기 전압 BVDSS:20V
극성: N 채널
어셈블리 라이프 사이클: 활성화
보관온도: 55~+150℃
핀 수: 3 핀
높이: 1,10mm
가로 x 가로/세로: 2.00 x 1.25mm
인증 정보: RoHS, HF(할로겐 없음)
최소 포장: 3000개
원산국: 미국
원 제조업체: VBSemi 전자 유한회사
브랜드: VBSemi
전력: 8,8nC
무연 여부: 예
부품 상태: 활성화
누수 전압(Vdss): 20V
연속 유출량Id@25℃:1
작동 온도(Tj): -55~+150℃
설치 유형: SMT
케이스: SC70
N 채널 누극-원극 전압(Vdss): 20V 연속 누극 전류(Id): 4A 전력(Pd) 2.8W


SI1308EDL


Spec:https://www.findic.com/doc/browser/keRaOEwdL?doc_id=59485237#locale=zh


핀셋 3
방전 저항 0,11 오메가
극성 N 채널
에너지 손실 0.4W
극한 전압 600mV
입력 용량 105pF
누수 전압(Vds) 30 V
연속 전류(Ids) 1,5A
증가 시간 20 ns
용량(Ciss) 105pF를 입력합니다.15V(Vds)
정격 전력(최대) 500mW
하강 시간 12 ns
작동 온도(최대) 150℃
작동 온도(최소 b55℃)
손실 전력(최대) 400mW

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